- ArtikelnummerSTGW10M65DF2
- MarkeSTMicroelectronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungTRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
- KategorieTransistoren - igbts - einfach
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Preisgestaltung:
- 1$1.88
- 10$1.68796
- 100$1.35633
- 500$1.11435
- 1.200$0.92332
- 3.600$0.85965
- 6.000$0.84903
Technische Details
- Serie:M
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- igbt-Typ:Trench Field Stop
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
- Strom - Kollektor (ic) (max):20 A
- Strom - Kollektor gepulst (icm):40 A
- vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 10A
- Leistung max:115 W
- Schaltenergie:120µJ (on), 270µJ (off)
- Eingabetyp:Standard
- Torgebühr:28 nC
- td (ein/aus) @ 25°c:19ns/91ns
- Testbedingung:400V, 10A, 22Ohm, 15V
- Reverse Recovery-Zeit (trr):96 ns
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Paket / Koffer:TO-247-3
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-247
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