- ArtikelnummerSTGP4M65DF2
- MarkeSTMicroelectronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungIGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS
- KategorieTransistoren - igbts - einfach
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Preisgestaltung:
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- 1.000$0.4386
- 2.500$0.41251
- 5.000$0.39512
Technische Details
- Serie:M
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- igbt-Typ:Trench Field Stop
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
- Strom - Kollektor (ic) (max):8 A
- Strom - Kollektor gepulst (icm):16 A
- vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 4A
- Leistung max:68 W
- Schaltenergie:40µJ (on), 136µJ (off)
- Eingabetyp:Standard
- Torgebühr:15.2 nC
- td (ein/aus) @ 25°c:12ns/86ns
- Testbedingung:400V, 4A, 47Ohm, 15V
- Reverse Recovery-Zeit (trr):133 ns
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Paket / Koffer:TO-220-3
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-220AB
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