- ArtikelnummerSTGD4M65DF2
- MarkeSTMicroelectronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungTRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
- KategorieTransistoren - igbts - einfach
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Preisgestaltung:
- 1$0.89
- 2.500$0.37301
- 5.000$0.35728
Technische Details
- Serie:M
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- igbt-Typ:Trench Field Stop
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
- Strom - Kollektor (ic) (max):8 A
- Strom - Kollektor gepulst (icm):16 A
- vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 4A
- Leistung max:68 W
- Schaltenergie:40µJ (on), 136µJ (off)
- Eingabetyp:Standard
- Torgebühr:15.2 nC
- td (ein/aus) @ 25°c:12ns/86ns
- Testbedingung:400V, 4A, 47Ohm, 15V
- Reverse Recovery-Zeit (trr):133 ns
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Gerätepaket des Lieferanten:DPAK
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