- ArtikelnummerSTGB30H65DFB2
- MarkeSTMicroelectronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungTRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
- KategorieTransistoren - igbts - einfach
Auf Lager: 85
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Preisgestaltung:
- 1$2.22
Technische Details
- Serie:HB2
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- igbt-Typ:Trench Field Stop
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
- Strom - Kollektor (ic) (max):50 A
- Strom - Kollektor gepulst (icm):90 A
- vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 30A
- Leistung max:167 W
- Schaltenergie:270µJ (on), 310µJ (off)
- Eingabetyp:Standard
- Torgebühr:90 nC
- td (ein/aus) @ 25°c:18.4ns/71ns
- Testbedingung:400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
- Reverse Recovery-Zeit (trr):115 ns
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
- Gerätepaket des Lieferanten:D2PAK-3
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