- ArtikelnummerSTD11NM60N-1
- MarkeSTMicroelectronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Technische Details
- Serie:MDmesh™ II
- Paket:Tube
- Teilestatus:Obsolete
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):600 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:10A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:450mOhm @ 5A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:31 nC @ 10 V
- vgs (max):±25V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:850 pF @ 50 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):90W (Tc)
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:I-PAK
- Paket / Koffer:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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