Technische Details

• Serie:SIPMOS®
• Paket:Tube
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:P-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:80A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:23mOhm @ 64A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:4V @ 5.5mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:173 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:5033 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):340W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO220-3
• Paket / Koffer:TO-220-3