Technische Details

• Serie:SIPMOS®
• Paket:Tube
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:P-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:18.7A (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:130mOhm @ 13.2A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:4V @ 1mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:28 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:860 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):81.1W (Ta)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO220-3
• Paket / Koffer:TO-220-3