- ArtikelnummerSPD18P06PGBTMA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$1.39
- 2.500$0.61298
- 5.000$0.58233
- 12.500$0.56043
Technische Details
- Serie:SIPMOS®
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:P-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:18.6A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:130mOhm @ 13.2A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 1mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:33 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:860 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):80W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO252-3
- Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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