- ArtikelnummerSPD08P06P
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Technische Details
- Serie:SIPMOS®
- Paket:Tape & Reel (TR)
- Teilestatus:Obsolete
- Fußtyp:P-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:8.83A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
- rds on (max) @ id, vgs:300mOhm @ 6.2A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 10 V
- vgs (max):-
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:420 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):42W (Tc)
- Betriebstemperatur:-
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO252-3
- Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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