- ArtikelnummerSPB11N60C3ATMA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 1.786
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Preisgestaltung:
- 1$3.33
- 1.000$1.82712
- 2.000$1.73577
- 5.000$1.67051
Technische Details
- Serie:CoolMOS™
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:11A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:380mOhm @ 7A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:3.9V @ 500µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:60 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1200 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):125W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO263-3-2
- Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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