- ArtikelnummerSIZ200DT-T1-GE3
- MarkeVishay / Siliconix
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH DUAL 30V
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager: 765
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$1.08
- 3.000$0.50581
- 6.000$0.48206
- 15.000$0.46511
Technische Details
- Serie:TrenchFET® Gen IV
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:2 N-Channel (Dual)
- Fet-Funktion:Standard
- Drain-Source-Spannung (vdss):30V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
- rds on (max) @ id, vgs:5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:2.4V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:28nC @ 10V, 30nC @ 10V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
- Leistung max:4.3W (Ta), 33W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:8-PowerWDFN
- Gerätepaket des Lieferanten:8-PowerPair® (3.3x3.3)
Verwandte Produkte
In den Warenkorb gelegt!
Dieser Artikel wurde Ihrem Warenkorb hinzugefügt.