- ArtikelnummerSISH536DN-T1-GE3
- MarkeVishay / Siliconix
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungN-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 3.289
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$0.66
Technische Details
- Serie:TrenchFET® Gen V
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:24.7A (Ta), 67.4A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:3.25mOhm @ 10A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:2.2V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 10 V
- vgs (max):+16V, -12V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1150 pF @ 15 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PowerPAK® 1212-8SH
- Paket / Koffer:PowerPAK® 1212-8SH
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