- ArtikelnummerSISH108DN-T1-GE3
- MarkeVishay / Siliconix
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$0.74
- 3.000$0.2859
- 6.000$0.26846
- 15.000$0.25105
- 30.000$0.23885
Technische Details
- Serie:TrenchFET® Gen II
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):20 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:14A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:4.9mOhm @ 22A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:2V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:30 nC @ 4.5 V
- vgs (max):±16V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):1.5W (Ta)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PowerPAK® 1212-8SH
- Paket / Koffer:PowerPAK® 1212-8SH
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