- ArtikelnummerSIS434DN-T1-GE3
- MarkeVishay / Siliconix
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$1.02
- 3.000$0.47794
- 6.000$0.4555
- 15.000$0.43947
Technische Details
- Serie:TrenchFET®
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):40 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:35A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:7.6mOhm @ 16.2A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:2.2V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:40 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1530 pF @ 20 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):3.8W (Ta), 52W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PowerPAK® 1212-8
- Paket / Koffer:PowerPAK® 1212-8
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