- ArtikelnummerSIS128LDN-T1-GE3
- MarkeVishay / Siliconix
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 5.969
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Preisgestaltung:
- 1$1.03
Technische Details
- Serie:TrenchFET® Gen IV
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):80 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:10.2A (Ta), 33.7A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:15.6mOhm @ 10A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:30 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1250 pF @ 40 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):3.6W (Ta), 39W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PowerPAK® 1212-8
- Paket / Koffer:PowerPAK® 1212-8
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