- ArtikelnummerSIR616DP-T1-GE3
- MarkeVishay / Siliconix
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 2.308
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Preisgestaltung:
- 1$1.55
- 3.000$0.72532
- 6.000$0.69126
- 15.000$0.66693
Technische Details
- Serie:ThunderFET®
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):200 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:20.2A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):7.5V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:50.5mOhm @ 10A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:28 nC @ 7.5 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1450 pF @ 100 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):52W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PowerPAK® SO-8
- Paket / Koffer:PowerPAK® SO-8
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