- ArtikelnummerSIHG33N65EF-GE3
- MarkeVishay / Siliconix
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 496
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Preisgestaltung:
- 1$7.28
- 10$6.57403
- 100$5.45073
- 500$4.60825
- 1.000$4.04659
- 2.500$3.90617
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:31.6A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:109mOhm @ 16.5A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:171 nC @ 10 V
- vgs (max):±30V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:4026 pF @ 100 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):313W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-247AC
- Paket / Koffer:TO-247-3
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