- ArtikelnummerSIHD6N80E-GE3
- MarkeVishay / Siliconix
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 2.925
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Preisgestaltung:
- 1$2.23
- 10$2.01653
- 100$1.62037
- 500$1.26031
- 1.000$1.04426
- 2.500$0.97224
- 5.000$0.93623
Technische Details
- Serie:E
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):800 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:5.4A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:940mOhm @ 3A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:44 nC @ 10 V
- vgs (max):±30V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:827 pF @ 100 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):78W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:D-PAK (TO-252AA)
- Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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