- ArtikelnummerSIHD12N50E-GE3
- MarkeVishay / Siliconix
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 2.153
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Preisgestaltung:
- 1$1.88
- 10$1.6958
- 100$1.363
- 500$1.06011
- 1.000$0.87838
- 3.000$0.8178
- 6.000$0.78751
Technische Details
- Serie:E
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):550 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:10.5A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:380mOhm @ 6A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:50 nC @ 10 V
- vgs (max):±30V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:886 pF @ 100 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):114W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TA)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:D-PAK (TO-252AA)
- Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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