- ArtikelnummerSIHB24N65E-GE3
- MarkeVishay / Siliconix
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 990
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Preisgestaltung:
- 1$6.21
- 10$5.56882
- 100$4.60127
- 500$3.76304
- 1.000$3.20425
- 3.000$3.05381
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:24A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:145mOhm @ 12A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:122 nC @ 10 V
- vgs (max):±30V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2740 pF @ 100 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):250W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:D2PAK
- Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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