- ArtikelnummerSIHB12N60E-GE3
- MarkeVishay / Siliconix
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 112
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Preisgestaltung:
- 1$2.17
- 10$1.96442
- 100$1.57829
- 500$1.22753
- 1.000$1.01709
- 2.500$0.94695
- 5.000$0.91188
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):600 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:12A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:380mOhm @ 6A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:58 nC @ 10 V
- vgs (max):±30V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:937 pF @ 100 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):147W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:D2PAK
- Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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