- ArtikelnummerSIHB120N60E-GE3
- MarkeVishay / Siliconix
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 1.085
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Preisgestaltung:
- 1$5.49
- 10$4.90124
- 100$4.01925
- 500$3.25459
- 1.000$2.74483
- 3.000$2.60759
Technische Details
- Serie:E
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):600 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:25A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:120mOhm @ 12A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:5V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:45 nC @ 10 V
- vgs (max):±30V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1562 pF @ 100 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):179W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:D²PAK (TO-263)
- Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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