- ArtikelnummerSIE836DF-T1-GE3
- MarkeVishay / Siliconix
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 200V 18.3A 10POLARPK
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Technische Details
- Serie:TrenchFET®
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Obsolete
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):200 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:18.3A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:130mOhm @ 4.1A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4.5V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:41 nC @ 10 V
- vgs (max):±30V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1200 pF @ 100 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):5.2W (Ta), 104W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:10-PolarPAK® (SH)
- Paket / Koffer:10-PolarPAK® (SH)
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