- ArtikelnummerSIDR622DP-T1-GE3
- MarkeVishay / Siliconix
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 1.433
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Preisgestaltung:
- 1$3.2
- 3.000$1.46347
- 6.000$1.40927
Technische Details
- Serie:TrenchFET®
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):150 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:64.6A (Ta), 56.7A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):7.5V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:17.7mOhm @ 20A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4.5V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:41 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1516 pF @ 75 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):6.25W (Ta), 125W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PowerPAK® SO-8DC
- Paket / Koffer:PowerPAK® SO-8
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