- ArtikelnummerSI8812DB-T2-E1
- MarkeVishay / Siliconix
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 60
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Preisgestaltung:
- 1$0.46
- 3.000$0.17832
- 6.000$0.16746
- 15.000$0.15659
- 30.000$0.14899
- 75.000$0.14819
Technische Details
- Serie:TrenchFET®
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):20 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:2.3A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):1.2V, 4.5V
- rds on (max) @ id, vgs:59mOhm @ 1A, 4.5V
- vgs (th) (max) @ id:1V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:17 nC @ 8 V
- vgs (max):±5V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):500mW (Ta)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:4-Microfoot
- Paket / Koffer:4-UFBGA
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