- ArtikelnummerSI7960DP-T1-GE3
- MarkeVishay / Siliconix
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
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Technische Details
- Serie:TrenchFET®
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Obsolete
- Fußtyp:2 N-Channel (Dual)
- Fet-Funktion:Logic Level Gate
- Drain-Source-Spannung (vdss):60V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:6.2A
- rds on (max) @ id, vgs:21mOhm @ 9.7A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:3V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:75nC @ 10V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
- Leistung max:1.4W
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:PowerPAK® SO-8 Dual
- Gerätepaket des Lieferanten:PowerPAK® SO-8 Dual
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