- ArtikelnummerSI2365EDS-T1-GE3
- MarkeVishay / Siliconix
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$0.42
- 3.000$0.10078
- 6.000$0.09545
- 15.000$0.08746
- 30.000$0.08213
- 75.000$0.07414
- 150.000$0.07268
Technische Details
- Serie:TrenchFET®
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:P-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):20 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:5.9A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):1.8V, 4.5V
- rds on (max) @ id, vgs:32mOhm @ 4A, 4.5V
- vgs (th) (max) @ id:1V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:36 nC @ 8 V
- vgs (max):±8V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:-
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):1W (Ta), 1.7W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-236
- Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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