Technische Details

• Serie:TrenchMOS™
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):20 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:2.5A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):2.5V, 4.5V
• rds on (max) @ id, vgs:85mOhm @ 3.6A, 4.5V
• vgs (th) (max) @ id:650mV @ 1mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:10 nC @ 4.5 V
• vgs (max):±8V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:230 pF @ 10 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):830mW (Tc)
• Betriebstemperatur:-65°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-236AB (SOT23)
• Paket / Koffer:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3