Technische Details

• Serie:Automotive, AEC-Q101
• Paket:Tube
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1200 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:33A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):18V
• rds on (max) @ id, vgs:105mOhm @ 20A, 18V
• vgs (th) (max) @ id:5V @ 1mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:63 nC @ 18 V
• vgs (max):+22V, -10V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1230 pF @ 800 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):290W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 200°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:HiP247™
• Paket / Koffer:TO-247-3