Technische Details

• Serie:Automotive, AEC-Q101
• Paket:Tube
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:45A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):18V, 20V
• rds on (max) @ id, vgs:67mOhm @ 20A, 20V
• vgs (th) (max) @ id:5V @ 1mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:73 nC @ 20 V
• vgs (max):+22V, -10V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1370 pF @ 400 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):240W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 200°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:HiP247™
• Paket / Koffer:TO-247-3