Technische Details

• Serie:-
• Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:90A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):18V
• rds on (max) @ id, vgs:26mOhm @ 50A, 18V
• vgs (th) (max) @ id:5V @ 1mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:157 nC @ 18 V
• vgs (max):+22V, -10V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3300 pF @ 400 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):330W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:H2PAK-7
• Paket / Koffer:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA