Technische Details

• Serie:-
• Paket:Tube
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):1200 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:24A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):18V
• rds on (max) @ id, vgs:137mOhm @ 7.6A, 18V
• vgs (th) (max) @ id:5.6V @ 3.81mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:51 nC @ 18 V
• vgs (max):+22V, -4V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:574 pF @ 800 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):134W
• Betriebstemperatur:175°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-4L
• Paket / Koffer:TO-247-4