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Technische Details

  • Serie:Automotive, AEC-Q101
  • Paket:Tube
  • Teilestatus:Active
  • Fußtyp:N-Channel
  • Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
  • Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:93A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):18V
  • rds on (max) @ id, vgs:28.6mOhm @ 36A, 18V
  • vgs (th) (max) @ id:5.6V @ 18.2mA

 

  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:133 nC @ 18 V
  • vgs (max):+22V, -4V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2208 pF @ 500 V
  • Fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max):339W
  • Betriebstemperatur:175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247N
  • Paket / Koffer:TO-247-3

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