- ArtikelnummerRV8C010UNHZGG2CR
- MarkeROHM Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 3.079
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$0.55
Technische Details
- Serie:Automotive, AEC-Q101
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):20 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:1A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
- rds on (max) @ id, vgs:470mOhm @ 500mA, 4.5V
- vgs (th) (max) @ id:1V @ 1mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
- vgs (max):±8V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:40 pF @ 10 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):1W
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:DFN1010-3W
- Paket / Koffer:3-XFDFN
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