- ArtikelnummerRQ3E100GNTB
- MarkeROHM Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$0.54
- 3.000$0.14393
- 6.000$0.13521
- 15.000$0.12648
- 30.000$0.12212
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:10A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:11.7mOhm @ 10A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:7.9 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:420 pF @ 15 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):2W (Ta), 15W (Tc)
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:8-HSMT (3.2x3)
- Paket / Koffer:8-PowerVDFN
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