- ArtikelnummerRQ3E100ATTB
- MarkeROHM Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 1.742
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$0.9
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:P-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:10A (Ta), 31A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:11.4mOhm @ 10A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:42 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1900 pF @ 15 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):2W (Ta)
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:8-HSMT (3.2x3)
- Paket / Koffer:8-PowerVDFN
Verwandte Produkte
In den Warenkorb gelegt!
Dieser Artikel wurde Ihrem Warenkorb hinzugefügt.