- ArtikelnummerRN1911FETE85LF
- MarkeToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungTRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
- KategorieTransistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
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Preisgestaltung:
- 1$0.38
- 4.000$0.03883
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Transistortyp:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Strom - Kollektor (ic) (max):100mA
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
- Widerstand - Basis (r1):10kOhms
- Widerstand - Emitterbasis (r2):-
- Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:120 @ 1mA, 5V
- vce-Sättigung (max) @ ib, ic:300mV @ 250µA, 5mA
- Strom - Kollektorabschaltung (max):100nA (ICBO)
- Frequenz - Übergang:250MHz
- Leistung max:100mW
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:SOT-563, SOT-666
- Gerätepaket des Lieferanten:ES6
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