- ArtikelnummerRN1110MFV,L3F
- MarkeToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungTRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
- KategorieTransistoren - bipolar (bjt) - einfach, vorgespannt
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Preisgestaltung:
- 1$0.02926
- 8.000$0.02926
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Transistortyp:NPN - Pre-Biased
- Strom - Kollektor (ic) (max):100 mA
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50 V
- Widerstand - Basis (r1):4.7 kOhms
- Widerstand - Emitterbasis (r2):-
- Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:120 @ 1mA, 5V
- vce-Sättigung (max) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 5mA
- Strom - Kollektorabschaltung (max):100nA (ICBO)
- Frequenz - Übergang:-
- Leistung max:150 mW
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:SOT-723
- Gerätepaket des Lieferanten:VESM
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