- ArtikelnummerRGW80TK65DGVC11
- MarkeROHM Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- Beschreibung650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
- KategorieTransistoren - igbts - einfach
Auf Lager: 440
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Preisgestaltung:
- 1$6.1
- 10$5.47939
- 25$5.17959
- 100$4.48907
- 450$4.25887
- 900$3.82146
- 1.350$3.22292
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- igbt-Typ:Trench Field Stop
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
- Strom - Kollektor (ic) (max):39 A
- Strom - Kollektor gepulst (icm):160 A
- vce(on) (max) @ vge, ic:1.9V @ 15V, 40A
- Leistung max:81 W
- Schaltenergie:760µJ (on), 720µJ (off)
- Eingabetyp:Standard
- Torgebühr:110 nC
- td (ein/aus) @ 25°c:44ns/143ns
- Testbedingung:400V, 40A, 10Ohm, 15V
- Reverse Recovery-Zeit (trr):92 ns
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Paket / Koffer:TO-3PFM, SC-93-3
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-3PFM
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