- ArtikelnummerRGW00TS65DGC11
- MarkeROHM Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- Beschreibung650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
- KategorieTransistoren - igbts - einfach
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Preisgestaltung:
- 1$6.07
- 10$5.45557
- 25$5.15738
- 100$4.46973
- 450$4.24051
- 900$3.805
- 1.350$3.20903
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- igbt-Typ:Trench Field Stop
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
- Strom - Kollektor (ic) (max):96 A
- Strom - Kollektor gepulst (icm):200 A
- vce(on) (max) @ vge, ic:1.9V @ 15V, 50A
- Leistung max:254 W
- Schaltenergie:1.18mJ (on), 960µJ (off)
- Eingabetyp:Standard
- Torgebühr:141 nC
- td (ein/aus) @ 25°c:52ns/180ns
- Testbedingung:400V, 50A, 10Ohm, 15V
- Reverse Recovery-Zeit (trr):95 ns
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Paket / Koffer:TO-247-3
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-247N
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