- ArtikelnummerRGTH00TS65DGC11
- MarkeROHM Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungIGBT 650V 85A 277W TO-247N
- KategorieTransistoren - igbts - einfach
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Preisgestaltung:
- 1$4.86
- 10$4.36869
- 30$4.13065
- 120$3.57974
- 270$3.39618
- 510$3.04737
- 1.020$2.57007
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- igbt-Typ:Trench Field Stop
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
- Strom - Kollektor (ic) (max):85 A
- Strom - Kollektor gepulst (icm):200 A
- vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 50A
- Leistung max:277 W
- Schaltenergie:-
- Eingabetyp:Standard
- Torgebühr:94 nC
- td (ein/aus) @ 25°c:39ns/143ns
- Testbedingung:400V, 50A, 10Ohm, 15V
- Reverse Recovery-Zeit (trr):54 ns
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Paket / Koffer:TO-247-3
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-247N
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