- ArtikelnummerRGT8NS65DGTL
- MarkeROHM Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungIGBT 650V 8A 65W TO-263S
- KategorieTransistoren - igbts - einfach
Auf Lager: 922
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$1.25
- 1.000$0.57051
- 2.000$0.53248
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- igbt-Typ:Trench Field Stop
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
- Strom - Kollektor (ic) (max):8 A
- Strom - Kollektor gepulst (icm):12 A
- vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 4A
- Leistung max:65 W
- Schaltenergie:-
- Eingabetyp:Standard
- Torgebühr:13.5 nC
- td (ein/aus) @ 25°c:17ns/69ns
- Testbedingung:400V, 4A, 50Ohm, 15V
- Reverse Recovery-Zeit (trr):40 ns
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Gerätepaket des Lieferanten:LPDS (TO-263S)
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