- ArtikelnummerRGT50NS65DGC9
- MarkeROHM Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungIGBT
- KategorieTransistoren - igbts - einfach
Auf Lager: 995
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$3.29
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- igbt-Typ:Trench Field Stop
- Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
- Strom - Kollektor (ic) (max):48 A
- Strom - Kollektor gepulst (icm):75 A
- vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 25A
- Leistung max:194 W
- Schaltenergie:-
- Eingabetyp:Standard
- Torgebühr:49 nC
- td (ein/aus) @ 25°c:27ns/88ns
- Testbedingung:400V, 25A, 10Ohm, 15V
- Reverse Recovery-Zeit (trr):58 ns
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Paket / Koffer:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-262
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