- ArtikelnummerRD3P08BBDTL
- MarkeROHM Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 100V 80A TO252
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 2.436
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$2.78
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:80A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):6V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:11.6mOhm @ 80A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 1mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:37 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1940 pF @ 50 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):119W (Ta)
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-252
- Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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