- ArtikelnummerR8010ANX
- MarkeROHM Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$2.08164
- 10$1.87003
- 100$1.53228
- 500$1.3044
- 1.000$1.1001
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Not For New Designs
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):800 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:10A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:560mOhm @ 5A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:5V @ 1mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:62 nC @ 10 V
- vgs (max):±30V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1750 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):40W (Tc)
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-220FM
- Paket / Koffer:TO-220-3 Full Pack
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