- ArtikelnummerR6009ENX
- MarkeROHM Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 400
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Preisgestaltung:
- 1$3.24
- 10$2.9116
- 100$2.38537
- 500$2.03062
- 1.000$1.71257
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):600 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:9A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:535mOhm @ 2.8A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 1mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:23 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:430 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):40W (Tc)
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-220FM
- Paket / Koffer:TO-220-3 Full Pack
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