Technische Details

• Serie:-
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Diodenkonfiguration:2 Independent
• Diodentyp:Silicon Carbide Schottky
• Spannung - Gleichstrom rückwärts (vr) (max):1200 V
• Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io) (pro Diode):100A (DC)
• Spannung - Vorwärts (vf) (max) @ if:1.8 V @ 100 A

• Geschwindigkeit:No Recovery Time > 500mA (Io)
• Reverse Recovery-Zeit (trr):0 ns
• Strom - Rückwärtsleckage @ vr:1 mA @ 1200 V
• Betriebstemperatur - Anschluss:-
• Befestigungsart:Chassis Mount
• Paket / Koffer:Module
• Gerätepaket des Lieferanten:Module