- ArtikelnummerPMWD19UN,518
- MarkeNXP Semiconductors
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
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Technische Details
- Serie:TrenchMOS™
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Obsolete
- Fußtyp:2 N-Channel (Dual)
- Fet-Funktion:Logic Level Gate
- Drain-Source-Spannung (vdss):30V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:5.6A
- rds on (max) @ id, vgs:23mOhm @ 3.5A, 4.5V
- vgs (th) (max) @ id:700mV @ 1mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:28nC @ 5V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1478pF @ 10V
- Leistung max:2.3W
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Gerätepaket des Lieferanten:8-TSSOP
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