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Technische Details

  • Serie:TrenchMOS™
  • Paket:Bulk
  • Teilestatus:Obsolete
  • Fußtyp:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):200 V
  • Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:8.8A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):6V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs:294mOhm @ 2.6A, 10V
  • vgs (th) (max) @ id:4V @ 1mA

 

  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:13.3 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:657 pF @ 30 V
  • Fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max):50W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:DFN3333-8
  • Paket / Koffer:8-VDFN Exposed Pad

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