- ArtikelnummerPMGD8000LN,115
- MarkeNXP Semiconductors
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
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Technische Details
- Serie:TrenchMOS™
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Obsolete
- Fußtyp:2 N-Channel (Dual)
- Fet-Funktion:Logic Level Gate
- Drain-Source-Spannung (vdss):30V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:125mA
- rds on (max) @ id, vgs:8Ohm @ 10mA, 4V
- vgs (th) (max) @ id:1.5V @ 100µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:0.35nC @ 4.5V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:18.5pF @ 5V
- Leistung max:200mW
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Gerätepaket des Lieferanten:6-TSSOP
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